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5830	文件：28.96 Kbytes Page：1 Pages	FlexibleMaxigrabberTestClip	POMONA Pomona Electronics	POMONA
ACE5830	文件：485.98 Kbytes Page：6 Pages	DFNWB2X2-6LN-ChannelMOSFETS	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACT5830	文件：713.48 Kbytes Page：41 Pages	TwelveChannelPMUforMobilePhones	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
ACT5830	文件：74.52 Kbytes Page：2 Pages	TwelveChannelIntegratedPowerManagementICforMobileHandsets GENERALDESCRIPTION Thepatent-pendingACT5830isacomplete,integratedpowermanagementsolutionthatisidealformid-highandmobilephones.ThisdeviceintegratesalinearLi+batterychargerwithaninternalpowerMOSFET,ahighefficiency350mADC/DCconverter,eightlowdropoutlinearreg	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
ACT5830	文件：774.52 Kbytes Page：41 Pages	TwelveChannelPMUforMobilePhones	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
ACT5830QJCES-T	文件：713.48 Kbytes Page：41 Pages	TwelveChannelPMUforMobilePhones	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
ACT5830QJCGN-T	文件：713.48 Kbytes Page：41 Pages	TwelveChannelPMUforMobilePhones	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
APC5830	文件：252.15 Kbytes Page：10 Pages	APC5830DE-COMPRESSIONVOICEIC CHIPFEATURES. ●DUALOPERATIONFREQUENCIES: -32.768KHZ&0.5SECONDTIMERINTERRUPT. -BUILT-INPLLCIRCUITTOGENERATESYSTEMCLOCKMAX20MHZ. ●BUILT-IN2KBYTES(1K16)RAM. ●ADDRESSUPTO8MBYTE(4M16)RAMORROMOR“ROMANDRAM” BUILT-IN16KBYTE(8K*16)PROGRAMROMAND	APLUSAPLUS APLUS	APLUS
ATA5830	文件：1.00191 Mbytes Page：27 Pages	UHFASK/FSKTransceiver	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATA5830	文件：862.49 Kbytes Page：24 Pages	UHFASK/FSKTransceiver	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATA5830N	文件：1.00191 Mbytes Page：27 Pages	UHFASK/FSKTransceiver	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
BA5830FM	文件：156.31 Kbytes Page：5 Pages	SiliconMonolithicIntegratedCircuit Features ・4CHBTLDriver. ・EmploystheHSOP-M28PINpowerpackageforcompaction. ・Hasawidedynamicrange.(PreVcc=PowVcc=8V,RL=8Ω、6.0V(typ.)) ・Incorporatesthethermalshutdowncircuit. ・SeparatingVccintoPreandPower(PowerdividesintoCH1/2and CH3/4),canmakebetterPowerefficien	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
FTD5830A	文件：1.37569 Mbytes Page：16 Pages	3ALowDropRegulaotrWithEnable	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD5830B	文件：1.37569 Mbytes Page：16 Pages	3ALowDropRegulaotrWithEnable	FS First Silicon Co., Ltd	FS
LC5830K	文件：1.262 Mbytes Page：25 Pages	Supplyvoltage6to48V	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
NTE5830	文件：18.74 Kbytes Page：2 Pages	StudMountStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp Description: TheNTE5830throughNTE5849aresiliconrectifiersinaD04typepackagedesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
NTMFS5830NL	文件：114.04 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,172A,2.3m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5830NL	文件：81.7 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFS5830NL	文件：116.31 Kbytes Page：6 Pages	40V,2.3m,185A,SingleN?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFS5830NL	文件：111.95 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,2.3m,185A,SingleN.Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
SDT5830
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
功率开关（PSW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
250V
最大电流允许值：
100A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3DD12E-T,
最大耗散功率：
350W
放大倍数：
β>30
图片代号：
C-32
vtest：
250
htest：
999900
atest：
100
wtest：
350

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	SDT58S	SDT			2		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SDT58S	SDT			11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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