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SDT12S60分立半导体产品二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

SDT12S60
厂商型号

SDT12S60

参数属性

SDT12S60 封装/外壳为TO-220-2;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2

功能描述

Silicon Carbide Schottky Diode
DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2

文件大小

189.28 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-25 23:00:00

SDT12S60规格书详情

Silicon Carbide Schottky Diode

• Worlds first 600V Schottky diode

• Revolutionary semiconductor

   material - Silicon Carbide

• Switching behavior benchmark

• No reverse recovery

• No temperature influence on

   the switching behavior

• No forward recovery

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC0) for target applications

SDT12S60属于分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单。英飞凌科技公司制造生产的SDT12S60二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

产品属性

  • 产品编号:

    SDT12S60

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    CoolSiC™+

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    12A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    450pF @ 1V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2

  • 供应商器件封装:

    PG-TO220-2-2

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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