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SDT04S60 | Silicon Carbide Schottky Diode Silicon Carbide Schottky Diode • Worlds first 600V Schottky diode • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery • No temperature influence on the switching behavior • Ideal diode for Power Factor Correction up to 800W1) • No fo 文件：280.47 Kbytes 页数：9 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
SDT04S60 | SiC Schottky Diode FEATURES · Switching Behavior Benchmark · No Reverse Recovery · No Forward Recovery APPLICATIONS · Free Wheeling Diodes · AC/DC Converters · Switch Mode Power Supplies (SMPS) 文件：374.81 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
SDT04S60 | Silicon Carbide Schottky Diode 文件：800.96 Kbytes 页数：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
SDT04S60 | Package：TO-220-2；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2 | INFINEON 英飞凌 | INFINEON |
产品属性
- 产品编号：
SDT04S60
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
CoolSiC™+
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型：
碳化硅肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
4A
- 速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
150pF @ 0V，1MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-2
- 供应商器件封装：
PG-TO220-2-2
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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