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HRLD55N03K	文件：965.32 Kbytes Page：9 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRLF55N03K	文件：238.66 Kbytes Page：7 Pages	100AvalancheTested	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRLFS55N03K	文件：258.79 Kbytes Page：7 Pages	100AvalancheTested	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRLP55N03K	文件：933.13 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
NP55N03SUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP55N03SUG	文件：298.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHB55N03	文件：63.5 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB55N03	文件：107.39 Kbytes Page：11 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance •Logiclevelcompatible Appl	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB55N03LT	文件：107.39 Kbytes Page：11 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance •Logiclevelcompatible Appl	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB55N03LT	文件：344.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
SDPB55N03L
功能描述：
N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	SDPDC02		24+		8	本站现库存	询价
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更多SDPB55N03L供应商更新时间2025-5-25 11:10:00

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