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SDM2U30CSP中文资料萧特基 (Schottky)(.5A 和以上)数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
SDM2U30CSP |
参数属性 | SDM2U30CSP 封装/外壳为2-XDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHTKY 30V 2A X3-WLB1608-2 |
功能描述 | 萧特基 (Schottky)(.5A 和以上) |
封装外壳 | 2-XDFN |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
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SDM2U30CSP规格书详情
描述 Description
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-stateresistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance,making it ideal for high-efficiency power management applications.
应用 Application
Blocking Diode
Boost Diode
Switching Diode
Reverse Protection Diode
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\t\t\t\tProduct Specifications
简介
SDM2U30CSP属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的SDM2U30CSP二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
:SDM2U30CSP
- 生产厂家
:Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
:Standard
- Configuration
:Single
- MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A)
:2 A
- @ TerminalTemperature TT (ºC)
:N/A ºC
- Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)
:30 V
- Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)
:20 A
- Forward Voltage Drop VF (V)
:0.48 V
- @ IF (A)
:2 A
- Maximum ReverseCurrent IR (µA)
:150 µA
- @ VR (V)
:30 V
- TotalCapacitance CT (pF)
:110 pF
- Packages
:X3-WLB1608-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
24+ |
NA/ |
7350 |
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DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
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DIODES |
1725+ |
DFN |
119 |
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DIODES/美台 |
2450+ |
DFN |
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DIODES |
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Diodes(美台) |
23+ |
标准封装 |
12000 |
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DIODES/美台 |
2402+ |
X3-WLB160 |
8324 |
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DIODES |
ROHS+Original |
X3-WLB1608-2 |
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DIODES |
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原装原封 |
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Diodes Incorporated |
25+ |
X3-WLB1608-2 |
9350 |
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