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SDM2U30CSP中文资料萧特基 (Schottky)(.5A 和以上)数据手册Diodes规格书

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厂商型号

SDM2U30CSP

参数属性

SDM2U30CSP 封装/外壳为2-XDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHTKY 30V 2A X3-WLB1608-2

功能描述

萧特基 (Schottky)(.5A 和以上)
DIODE SCHTKY 30V 2A X3-WLB1608-2

封装外壳

2-XDFN

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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SDM2U30CSP规格书详情

描述 Description

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-stateresistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance,making it ideal for high-efficiency power management applications.

应用 Application

Blocking Diode
Boost Diode
Switching Diode
Reverse Protection Diode

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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

SDM2U30CSP属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的SDM2U30CSP二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SDM2U30CSP

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard

  • Configuration

    :Single

  • MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A)

    :2 A

  • @ TerminalTemperature TT (ºC)

    :N/A ºC

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :30 V

  • Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)

    :20 A

  • Forward Voltage Drop VF (V)

    :0.48 V

  • @ IF (A)

    :2 A

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :150 µA

  • @ VR (V)

    :30 V

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :110 pF

  • Packages

    :X3-WLB1608-2

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