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SDF07N50T

Super high dense cell design for low RDS(ON).

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Samhop

三合微科

SDF07N50T

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

SDF07N50T

Super high dense cell design for low RDS(ON).

Samhop

三合微科

STHI07N50

HIGH INJECTION N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS (IGBT)

• HIGH INPUT IMPEDANCE • LOW ON-VOLTAGE • HIGH CURRENT CAPABILITY APPLICATIONS: • AUTOMOTIVE IGNITION • DRIVERS FOR SOLENOIDS AND RELAYS N-channel High Injection POWER MOS transis- tors (IGBT) which features a high impedance in- sulated gate input and a low on-resistance characteristi

文件:291.08 Kbytes 页数:6 Pages

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更多SDF07N50T供应商 更新时间2025-10-4 14:02:00