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SIHF830ASTL	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF830L	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF830S	文件：179.79 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF830S	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF830S	文件：1.10104 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SIHFI830G	文件：1.56994 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SK830	文件：143.17 Kbytes Page：2 Pages	MINIATURESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100Volts ForwardCurrent-8.0Amperes FEATURES .PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 .Metalsliiconjunction,majoritycarrietconduction .Guardringforovercoltageprotection .Lowpowerloss,highefficien	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI
SLB830S	文件：491.62 Kbytes Page：5 Pages	500VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司	MAPLESMI
SLD830C	文件：310.32 Kbytes Page：6 Pages	500VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司	MAPLESMI
SLD830S	文件：650.23 Kbytes Page：6 Pages	500VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司	MAPLESMI

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详细参数

型号：
SD830T
制造商：
PANJIT
制造商全称：
Pan Jit International Inc.
功能描述：
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	SD830T	ON/DIODES/PANJIT	24+	TO-251AB	43000		询价
深圳市凌旭科技有限公司	SD830T	SILAN/士兰微	21+	TO-251AB	38000		询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SD830T	PANJIT	22+	TO-251	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	SD830T	SILAN/士兰微	22+	TO-251AB	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	SD830T	SILAN/士兰微	21+	TO-251AB	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	SD830T	PANJIT	22+	TO-251	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	SD830T	PANJIT	25+	TO-251	37650	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市易讯博科技有限公司	SD830-T	DIODES	22+	NA	12080	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	SD830YS_L2_00001	PANJIT	25+23+	TO-252(DPAK)	21504	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SD830YS_L2_00001	PANJIT/强茂	23+	TO-252(DPAK)	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价

更多SD830T供应商更新时间2025-7-16 15:30:00

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