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SD57060-01分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

SD57060-01
厂商型号

SD57060-01

参数属性

SD57060-01 封装/外壳为M250;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 65V 945MHZ M250

功能描述

RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILY
FET RF 65V 945MHZ M250

封装外壳

M250

文件大小

71.89 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-3 16:06:00

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SD57060-01规格书详情

SD57060-01属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由意法半导体集团制造生产的SD57060-01晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs

DESCRIPTION

The SD57060-01 is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0 GHz. The SD57060-01 is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28V. It is ideal for base station applications requiring high linearity.

■ EXCELLENT THERMAL STABILITY

■ COMMON SOURCE CONFIGURATION

■ POUT = 60 W with 11.5 dB gain @ 945 MHz

■ BeO FREE PACKAGE

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SD57060-01

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    945MHz

  • 增益:

    15dB

  • 额定电流(安培):

    7A

  • 功率 - 输出:

    60W

  • 封装/外壳:

    M250

  • 供应商器件封装:

    M250

  • 描述:

    FET RF 65V 945MHZ M250

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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