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SD445-11-21-305

Red Enhanced Silicon Photodiode

文件:164.82 Kbytes 页数:2 Pages

LUNA

SD445-11-21-305

Red Enhanced Silicon Photodiode

文件:94.38 Kbytes 页数:1 Pages

ADVANCEDPHOTONIX

SD445-14-21-305

Red Enhanced High Performance Silicon Photodiode

文件:94.15 Kbytes 页数:1 Pages

ADVANCEDPHOTONIX

SIA445EDJ

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:237.24 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SIA445EDJ

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package - Small footprint area - Low on-resistance • 100 Rg tested • Built in ESD protection with Zener diode • Typical ESD performance: 2000 V • Material categorization: for definitions of compliance please see www

文件:259.56 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SIA445EDJT

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:338.87 Kbytes 页数:10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

详细参数

  • 型号:

    SD445

  • 功能描述:

    PHOTODIODE HP CERM PKG

  • RoHS:

  • 类别:

    传感器,转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电二极管

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1

  • 波长:

    850nm 颜色 -

  • 增强型:

    -

  • 光谱范围:

    400nm ~ 1100nm

  • 二极管类型:

    引脚 nm

  • 下响应率:

    0.62 A/W @ 850nm

  • 响应时间:

    5ns 电压

  • -(Vr)(最大):

    50V 电流 -

  • 暗(标准):

    1nA

  • 有效面积:

    1mm²

  • 视角:

    150°

  • 工作温度:

    -40°C ~ 100°C

  • 封装/外壳:

    径向,5mm 直径(T 1 3/4)

  • 其它名称:

    475-2649-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SD445供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00