丝印：T24003；Package：DFN2020-3；1-Line High Power TVS Diode

Features 5400W peak pulse power (8/20 Low leakage: nA level Low operating voltage: 24V Ultra low clamping voltage One power line protects Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±30kV Contact discharge: ±30kV – IEC61000-4-4 (EFT) 80A (5/50ns)

文件：568.32 Kbytes 页数：4 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

丝印：23P；Package：DFN2020-3；1-Line High Power TVS Diode

文件：1.48205 Mbytes 页数：4 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

高可靠性、高精度实时时钟模块

SD2400RAM 系列是一种具有内置晶振、NVSRAM、IIC 串行接口的高精度实时时钟芯片, CPU 可使用该接口通过 5 位地址来寻址读写片内 32 字节的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、通用 SRAM 寄存器)。\r\n\r\n SD2400RAM 系列芯片可保证时钟精度为±5ppm(在 25±1℃下)，即年误差小于 2.6 分钟；该芯片内置一次性电池,在电池使用寿命可在五年左右(工业级和民用级时间不同)；该芯片内置时钟精度数字调整功能，可以在很宽的范围内校正时钟的偏差(分辨力 3ppm)，通过外置的温度传感器可设定适应温度变化的调整值，实现在宽温范围内高精度的

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兴威帆

高可靠性、高精度实时时钟模块

SD2400EEPROM 系列是一种具有内置晶振、EEPROM、IIC 串行接口的高精度实时时钟芯片, CPU 可使用该接口通过 5 位地址来寻址读写片内 32 字节的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、通用 SEEPROM 寄存器)。\r\n\r\n SD2400EEPROM 系列芯片可保证时钟精度为±5ppm(在 25±1℃下)，即年误差小于 2.6 分钟；该芯片内置一次性电池,在常温下电池使用寿命可在五年左右(工业级和民用级时间不同)；该芯片内置时钟精度数字调整功能，可以在很宽的范围内校正时钟的偏差(分辨力 3ppm)，通过外置的温度传感器可设定适应温度变化的调整值，

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兴威帆

实时时钟(RTC)

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兴威帆