N-CHANNEL DEPLETION-MODE D-MOS FET

[TOPAZ SEMICONDUCTOR]

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2-WAY POWER DIVIDER SURFACE MOUNT MODEL

FEATURES: ► Excellent Performance ► Wide Bandwidth ► Small Size, Surface Mount ► Moderate Power ► Lead Free RoHS Compliant APPLICATIONS: ►Signal Splitting & Low Power Combining

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SYNERGY

N-CHANNEL DEPLETION-MODE D-MOS FET

[TOPAZ SEMICONDUCTOR]

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N-CHANNEL DEPLETION-MODE D-MOS FET

[TOPAZ SEMICONDUCTOR]

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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS FET

[TOPAZ SEMICONDUCTOR] FEATURES ■ Ultra-Low Channel OFF leakage,

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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS FET

[TOPAZ SEMICONDUCTOR] FEATURES ■ Ultra-Low Channel OFF leakage,

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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS FET

[TOPAZ SEMICONDUCTOR] FEATURES ■ Ultra-Low Channel OFF leakage,

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高精度实时时钟-EPROM 型

SD2200L 系列是一种具有内置晶振、支持 I2C 总线的高精度实时时钟芯片。该芯片可保证时钟精度为±5ppm(在 25±1℃下)，即年误差小于 2.5 分钟；该芯片内置时钟精度调整功能，可以在很宽的范围内校正时钟的偏差(分辨力 3.052ppm 或1.017ppm)，通过外置的温度传感器可设定适应温度变化的调整值，实现在宽温范围内高精度的计时功能；内置串行 E2PROM为非易失性，可在 3.0V～5.5V 下工作,擦写次数可达 100 万次,数据保存时间为十年。内置一次性电池，电池使用寿命可在五年左右(工业级和民用级时间不同)。该芯片可满足对实时时钟芯片的各种需要，是在选用高精度实时时钟时 • 低功耗：典型值 0.25μA（VDD=3.0V,Ta=25℃，时钟电路部分）。\r\n• 年、月、日、星期、时、分、秒的 BCD 码输入/输出。\r\n• 可设定两路闹钟（定时）及 32768Hz～1Hz 的方波信号输出。\r\n• 内置串行 E2PROM 为非易失性，可在 3.0V～5.5V 下工作,擦写次数可达 100 万次,数据保存时间为十年。\r\n• 内置电源掉电检测电路,具有上电和掉电标志位。\r\n• 内置电源管理电路，当 VDD≥3.0V 时，内部电池不耗电。\r\n• 内置电池使用寿命—一次性民用级:3~5 年, 一次性工业级和充电型:5~8 年。\r\n• SD2200;

WAVE

兴威帆

20 V, 75 om, N-channel depletion-mode D-MOS FET

Topaz

DC-DC转换器(降压)

SAIDE

赛得微