SD1729中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
SD1729规格书详情
DESCRIPTION
The SD1729 is a Class AB 28 V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting to achieve extreme ruggedness under severe operating conditions.
■ OPTIMIZED FOR SSB
■ 30 MHz
■ 28 VOLTS
■ IMD −30 dB
■ COMMON EMITTER
■ GOLD METALLIZATION
■ POUT = 130 W PEP WITH 12 dB GAIN
产品属性
- 型号:
SD1729
- 功能描述:
射频双极电源晶体管 NPN 28V 30MHz
- RoHS:
否
- 制造商:
M/A-COM Technology Solutions
- 配置:
Single 直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
40
- 最大工作频率:
30 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO:
25 V 发射极 - 基极电压
- VEBO:
4 V
- 集电极连续电流:
20 A
- 功率耗散:
250 W
- 封装/箱体:
Case 211-11
- 封装:
Tray
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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ST |
24+ |
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23+ |
11200 |
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ST/意法 |
12+ |
TO-59射频管 |
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ST |
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ST |
23+ |
TO-59 |
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ST |
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ST |
24+ |
M174 |
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STMicroelectronics |
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M174 |
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