SD1726中文资料HF SSB Applications RF&Microwave Transistors数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
SD1726 |
| 参数属性 | SD1726 封装/外壳为M174；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 55V M174 |
| 功能描述 | HF SSB Applications RF&Microwave Transistors |
| 封装外壳 | M174 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 13:31:00 |
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SD1726规格书详情
描述 Description
The SD1726 is a 50 V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting to achieve extreme ruggedness under severe operating conditions.
特性 Features
P
OUT = 150 W PEP MIN. WITH 14 dB GAIN
GOLD METALLIZATION
OPTIMIZED FOR SSB
50 V
30 MHz
COMMON EMITTER
IMD-30 dB
简介
SD1726属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的SD1726晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
SD1726
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
- 增益：
14dB
- 功率 - 最大值：
318W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
18 @ 1.4A，6V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
20A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
M174
- 供应商器件封装：
M174
- 描述：
RF TRANS NPN 55V M174
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
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恩XP |
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