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SD1275分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

SD1275
厂商型号

SD1275

参数属性

SD1275 封装/外壳为M135;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 16V M135

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS
RF TRANS NPN 16V M135

封装外壳

M135

文件大小

56.86 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 17:30:00

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SD1275规格书详情

SD1275属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由意法半导体集团制造生产的SD1275晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF

VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications

HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT

VHF / UHF radio applications

HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages

UHF TV and digital cellular BTS applications

2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs

HF / SSB, FM / VHF broadband applications

2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SD1275

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    16V

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 最大值:

    70W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 250mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    8A

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座,接线柱安装

  • 封装/外壳:

    M135

  • 供应商器件封装:

    M135

  • 描述:

    RF TRANS NPN 16V M135

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