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SD10BW

SCHOTTKY BARRIER DIODE

SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES Low Forward Voltage Drop. Guard Ring Construction For Transient Protection. Negligible Reverse Recovery Time. Low Reverse Capacitance.

文件:54.15 Kbytes 页数:2 Pages

MAKOSEMI

美科半导体

SD12

SOT

ON

SD12T1G

SOD323

ON

SD150/TR

N/A

SGMICRO/圣邦微

上传:深圳市跃创芯科技有限公司

SGMICRO/圣邦微

SD15U150SL

TO-277

LGE(鲁光)

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更多SD10BW供应商 更新时间2025-12-4 11:01:00