SD1019分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SD1019 |
| 参数属性 | SD1019 封装/外壳为M130；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 35V 136MHZ M130 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS 108-152 MHz APPLICATIONS |
| 封装外壳 | M130 |
| 文件大小 |
613.68 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | MICROSEMI |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-4 11:10:00 |
| 人工找货 | SD1019价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
SD1019三极管、SD1019晶体管、SD1019晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
甚高频 （VHF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
65V
- 最大电流允许值：
9A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
3D74C,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍数：
β>5
- 图片代号：
G-98
- vtest：
65
- htest：
999900
- atest：
9
- wtest：
100
SD1019规格书详情
SD1019属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美半导体公司制造生产的SD1019晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
SD1019
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
35V
- 频率 - 跃迁：
136MHz
- 增益：
4.5dB
- 功率 - 最大值：
117W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 500mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
9A
- 工作温度：
200°C
- 安装类型：
接线柱安装
- 封装/外壳：
M130
- 供应商器件封装：
M130
- 描述：
RF TRANS NPN 35V 136MHZ M130
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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