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SCTWA70N120G2V	文件：229.28 Kbytes Page：12 Pages	Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A Features •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) Applications •Switchingmodepowersupply •DC-DCconverters •Industrialmotorcontrol Description Thissilicon	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
SCTWA70N120G2V	文件：294.28 Kbytes Page：2 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·IncreasedSystemSwitchingFrequency ·HigherSystemEfficiency ·IncreasedPowerDensity APPLICATIONS ·Switchingmodepowersupply ·DC-DCconverters ·Industrialmotorcontrol	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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SCTWA70N120G2V

文件：229.28 Kbytes

Page：12 Pages

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A

Features •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) Applications •Switchingmodepowersupply •DC-DCconverters •Industrialmotorcontrol Description Thissilicon

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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SiC N-Channel MOSFET

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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