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SMPBF256A	文件：213.13 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistors SmallOutline(SurfaceMount)PackageDevices	InterFET InterFET Corporation	InterFET
SMPBF256B	文件：213.13 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistors SmallOutline(SurfaceMount)PackageDevices	InterFET InterFET Corporation	InterFET
SMPBF256C	文件：213.13 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistors SmallOutline(SurfaceMount)PackageDevices	InterFET InterFET Corporation	InterFET
SMS256AF	文件：1.1828 Mbytes Page：61 Pages	64MByte,128MByte,256MByte512MByteand1GByte,3.3VSupplySecureDigital??Card	NUMONYX numonyx	NUMONYX
SMS256FF	文件：1.1828 Mbytes Page：61 Pages	64MByte,128MByte,256MByte512MByteand1GByte,3.3VSupplySecureDigital??Card	NUMONYX numonyx	NUMONYX
SMTPB256	文件：55.13 Kbytes Page：5 Pages	TRISILTM DESCRIPTION TheSMTPBxxserieshasbeendesignedtoprotecttelecommunicationequipmentagainstlightningandtransientinducedbyACpowerlines. FEATURES BIDIRECTIONALCROWBARPROTECTION. BREAKDOWNVOLTAGERANGE:From62VTo270V. HOLDINGCURRENT:IH=150mAmin REPETITIVEPE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SMZ256C	文件：131.74 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SMZ256C	文件：533.774 Kbytes Page：2 Pages	1.3W6.2VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SMZ256C	文件：526.73 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SMZ256I	文件：131.74 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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产品属性

产品编号：
SCRN256R-F
制造商：
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
SCR
包装：
散装
容差：
±10%
额定电压 - AC：
2000Vpk（2KVPK）
介电材料：
纸，金属化
工作温度：
-40°C ~ 80°C
安装类型：
机架安装，需要支架/托架
封装/外壳：
径向，Can
大小 / 尺寸：
4.560" 长 x 3.750" 宽（115.82mm x 95.25mm），唇状
高度 - 安装（最大值）：
5.810"（147.57mm）
端接：
螺纹，公头
引线间距：
2.000"（50.80mm）
应用：
换向，高频，开关式，高脉冲，DV/DT
描述：
CAP FILM 10UF 10% 2KVPK RADIAL

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