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SCF60R160C	文件：300 bytes Page：1 Pages	24A. 600V N-CHANNEL POWER MOSFET SCF60R160C N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用深鸿盛最新的超结MOS结构设计及制造工艺，有效地降低了产品的RonSP及寄生量。具有低导通内阻，低Ciss、Qg等特点。	HI-SEMICON 深鸿盛电子	HI-SEMICON
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