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SCESD0502L-C	文件：306.14 Kbytes Page：2 Pages	Marking：52L；Package：DFN1006-3L；Ultra Low Capacitance TVS/ESD Protection Diode	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SGC0502A	文件：207.36 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedRectifier	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SM0502	文件：177.81 Kbytes Page：2 Pages	CERAMICMELFPINDIODES DESCRIPTION Thisnewlineof‘MELF’highpowerPINdiodesarehermeticallysealedsurfacemountpackageddeviceswithfullfacebondedchipsforlowinductanceconstruction.TheMELFceramicpackagehassquareendterminationswhichareidealforsurfacemountandpickandplaceoperations.TheP	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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SP0502AAHT	文件：199.31 Kbytes Page：4 Pages	SiliconProtectionCircuits-TVSRailClampArrayinaSurfaceMountPackage	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
SP0502B	文件：755.61 Kbytes Page：5 Pages	SP0502BSeries1pF15kVDiodeArrays	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
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SP0502BAHT	文件：125 Kbytes Page：8 Pages	TVSDiodeArrays-SurfaceMountTVSAvalancheDiodeArray SurfaceMountTVSAvalancheDiodeArray ThesurfacemountfamilyofarraysaredesignedtosuppressESDandothertransientovervoltageevents.ThesearraysareusedtomeettheInternationalElectrotechnicalCompatibility(IECtransientimmunitystandardsIEC61000-4-2forElectrostaticDischarg	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
SP0502BAHTG	文件：572.58 Kbytes Page：4 Pages	300Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs) Features 300Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs) Unidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent Lowcapacitance(Cj=120pFtyp.) Protectiontwodatalines IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lig	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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