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DSEC30-06B	文件：50.08 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFREDTMEpitaxialDiodewithcommoncathodeandsoftrecovery Features •Internationalstandardpackage •Planarpassivatedchips •Veryshortrecoverytime •Extremelylowswitchinglosses •LowIRM-values •Softrecoverybehaviour •EpoxymeetsUL94V-0 Applications •Antiparalleldiodeforhighfrequencyswitchingdevices •	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEI30-06A	文件：79.55 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) Features ●InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ●Planarpassivatedchips ●Veryshortrecoverytime ●Extremelylowswitchinglosses ●LowIRM-values ●Softrecoverybehavior ●EpoxymeetsUL94V-0 ●VersionARisolatedandULregisteredE153432 Applications ●Antiparalleldio	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEI30-06A	文件：364.17 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier FEATURES ·Guardingforovervoltageprotection ·Dualrectifierconstruction,positivecentertap ·Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconduction ·Lowforwardvoltage,highefficiency ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Uni	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DSEP30-06A	文件：388.59 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DSEP30-06A	文件：68.01 Kbytes Page：3 Pages	HiPerFREDEpitaxialDiodewithsoftrecovery Features •Internationalstandardpackage •Planarpassivatedchips •Veryshortrecoverytime •Extremelylowswitchinglosses •LowIRM-values •Softrecoverybehaviour •EpoxymeetsUL94V-0 •Version..RisolatedandULregisteredE153432 Applications •Antiparalleldiodeforhighfr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEP30-06B	文件：68.01 Kbytes Page：3 Pages	HiPerFREDEpitaxialDiodewithsoftrecovery Features •Internationalstandardpackage •Planarpassivatedchips •Veryshortrecoverytime •Extremelylowswitchinglosses •LowIRM-values •Softrecoverybehaviour •EpoxymeetsUL94V-0 •Version..RisolatedandULregisteredE153432 Applications •Antiparalleldiodeforhighfr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEP30-06BR	文件：237.79 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRecoveryDiode FEATURES ·Ultrafastrecoverytime ·Lowforwardvoltage,highefficiency ·100avalanchetested APPLICATIONS ·Switchingpowersupply ·Powerswitchingcircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DSEP30-06BR	文件：68.01 Kbytes Page：3 Pages	HiPerFREDEpitaxialDiodewithsoftrecovery Features •Internationalstandardpackage •Planarpassivatedchips •Veryshortrecoverytime •Extremelylowswitchinglosses •LowIRM-values •Softrecoverybehaviour •EpoxymeetsUL94V-0 •Version..RisolatedandULregisteredE153432 Applications •Antiparalleldiodeforhighfr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEP30-06CR	文件：21.91 Kbytes Page：1 Pages	HiPerDynFREDTMEpitaxialDiodewithsoftrecovery(ElectricallyIsolatedBackSurface) Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ●Lowcathodetotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
FE30-06	文件：129.199 Kbytes Page：2 Pages	3AFASTEFFICIENTRECTIFIER	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER

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