Complete DDR Power Solution

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Complete DDR Power Solution, General Reference Design

·High-efficiency (90%) switcher for VDDQ supplies 20 Amps\n·High-current gate drives\n·Single-chip solution complies fully with ACPI power sequencing specifications\n·Internal S3 state LDO supplies high standby VDDQ current (0.65 Amp min.)\n·ACPI sleep state controlled\n·2 Amp VTT source/sink ca;

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Package：18-VFDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 特殊用途稳压器 描述：IC REG CONV DDR 2OUT 18MLP

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Package：18-VFDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：集成电路（IC） 特殊用途稳压器 描述：IC REG CONV DDR 2OUT 18MLP

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