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SBRT4M30LP分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

SBRT4M30LP

参数属性

SBRT4M30LP 封装/外壳为8-PowerUDFN;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SBR 30V 4A 8DFN

功能描述

4A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER
DIODE SBR 30V 4A 8DFN

封装外壳

8-PowerUDFN

文件大小

495.42 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-30 11:45:00

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SBRT4M30LP规格书详情

SBRT4M30LP属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由美台半导体制造生产的SBRT4M30LP二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

特性 Features

Reduced ultra-low forward voltage drop (VF); Better efficiency and cooler operation.

Reduced high temperature reverse leakage; Increased reliability against thermal runaway failure in high temperature operation.

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SBRT4M30LP-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    TrenchSBR

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    超级势垒

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    4A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    150pF @ 30V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-PowerUDFN

  • 供应商器件封装:

    U-DFN3030-8

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SBR 30V 4A 8DFN

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