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SBRT3U40P1Q-7中文资料TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
SBRT3U40P1Q-7 |
| 参数属性 | SBRT3U40P1Q-7 封装/外壳为POWERDI®123；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE SBR 40V 3A POWERDI123 |
| 功能描述 | TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER |
| 封装外壳 | POWERDI®123 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 20:00:00 |
| 人工找货 | SBRT3U40P1Q-7价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SBRT3U40P1Q-7规格书详情
描述 Description
Packaged in the compact thermally efficient PowerDI123 package, the SBRT3U40P1 provides very low VF and excellent reverse leakage stability at high temperatures. It is ideally suited to use as a rectifier diode in MR16 bridge rectifier applications.
应用 Application
Bridge Rectifier Diode
Smart Phone Charger
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\t\t\t\tProduct Specifications
简介
SBRT3U40P1Q-7属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的SBRT3U40P1Q-7二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
：SBRT3U40P1Q-7
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：Yes
- Configuration
：Single
- Maximum Average Rectified Current IO
：3 A
- @ Terminal Temperature TT
：N/A ºC
- Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM
：40 V
- Peak Forward Surge Current IFSM
：75 A
- Forward Voltage Drop VF (V)
：0.49
- @ IF
：3 A
- Maximum Reverse Current IR
：180 µA
- @ VR
：40 V
- Reverse Recovery Time trr
：N/A ns
- Total Capacitance CT
：40 pF
- EAS
：N/A mJ
- Packages
：PowerDI123
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
DIODES |
22+ |
PowerDI123 |
30000 |
全新原装 |
询价 | ||
diodes |
24+ |
PowerDI123 |
16500 |
假一赔百原装正品价格优势实单可谈 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
22+ |
PowerDI123 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
DIODES |
24+ |
PowerDI123 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2447 |
PDI123 |
100500 |
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询价 | ||
Diodes(美台) |
25+ |
封装 |
500000 |
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DIODES |
25+ |
SOD-123 |
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DIODES/美台 |
20+ |
SMD |
88800 |
DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
DIODES |
25+ |
30000 |
原装现货,支持实单 |
询价 |
