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SBRT3M30LP中文资料3A TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER数据手册Diodes规格书

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厂商型号

SBRT3M30LP

参数属性

SBRT3M30LP 封装/外壳为8-PowerUDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SBR 30V 3A 8DFN

功能描述

3A TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER
DIODE SBR 30V 3A 8DFN

封装外壳

8-PowerUDFN

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2026-2-3 16:46:00

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SBRT3M30LP规格书详情

描述 Description

Packaged in the compact U-DFN3030-8 package, the TrenchSBR

\tSBRT3M30LP provides excellent low reverse leakage stability at high

\ttemperatures. It is ideal for use in low voltage, high frequency

\tinverters, as well as freewheeling and polarity protection applications.

应用 Application

• AC-DC Adaptors/Chargers

\t
• DC-DC Converters

\t
• Bypass Diode

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• Boost Diode

\t
• Blocking Diode

\t
• Recirculating Diode

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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

SBRT3M30LP属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由Diodes制造生产的SBRT3M30LP二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SBRT3M30LP

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard

  • Configuration

    :Single

  • MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A)

    :3 A

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :30 V

  • Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)

    :30 A

  • Forward Voltage Drop VF (V)

    :0.49

  • @ IF (A)

    :3 A

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :20 µA

  • @ VR (V)

    :30 V

  • Packages

    :U-DFN3030-8

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