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SBRS8120T3G分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

SBRS8120T3G
厂商型号

SBRS8120T3G

参数属性

SBRS8120T3G 封装/外壳为DO-214AA,SMB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMB

功能描述

Surface Mount Schottky Power Rectifier
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMB

封装外壳

DO-214AA,SMB

文件大小

135.32 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-2 14:36:00

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SBRS8120T3G规格书详情

SBRS8120T3G属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由安森美半导体公司制造生产的SBRS8120T3G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

Surface Mount Schottky Power Rectifier

This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system.

特性 Features

• Small Compact Surface Mountable Package with J−Bend Leads

• Rectangular Package for Automated Handling

• Highly Stable Oxide Passivated Junction

• Very Low Forward Voltage Drop (0.55 Volts Max @ 1.0 A, TJ = 25°C)

• Excellent Ability to Withstand Reverse Avalanche Energy Transients

• Guard−Ring for Stress Protection

• Pb−Free Package is Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SBRS8120T3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-214AA,SMB

  • 供应商器件封装:

    SMB

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 125°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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