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SBR30A100CTE-G分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

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厂商型号

SBR30A100CTE-G

参数属性

SBR30A100CTE-G 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE SBR 15A 100V TO262

功能描述

30A SBR® SUPER BARRIER RECTIFIER
DIODE SBR 15A 100V TO262

丝印标识

SBR30A100CTE

封装外壳

TO-262 / TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

文件大小

76.75 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-29 23:00:00

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SBR30A100CTE-G规格书详情

SBR30A100CTE-G属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由美台半导体制造生产的SBR30A100CTE-G二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

特性 Features

Low Forward Voltage Drop

Excellent High Temperature Stability

Patented Super Barrier Rectifier Technology

Soft, Fast Switching Capability

Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 2)

Also Available in Green Molding Compound (Note 4)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SBR30A100CTE-G

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    SBR®

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    超级势垒

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    15A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

  • 供应商器件封装:

    TO-262

  • 描述:

    DIODE SBR 15A 100V TO262

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