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SBR20A60CTBQ中文资料SBR数据手册Diodes规格书

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厂商型号

SBR20A60CTBQ

参数属性

SBR20A60CTBQ 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SBR 60V 20A TO263

功能描述

SBR
DIODE ARRAY SBR 60V 20A TO263

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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SBR20A60CTBQ规格书详情

描述 Description

This Super Barrier Rectifier (SBR) diode has been designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.

应用 Application

Polarity Protection Diode
\t
\t\tRe-circulating Diode
\t
\t\tSwitching Diode


\t\t\t\t\t\t

\t\t\t\t\t\t


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\t\t\t\t
\t\t\t\tProduct Specifications

简介

SBR20A60CTBQ属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的SBR20A60CTBQ二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SBR20A60CTBQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Configuration

    :Dual

  • Maximum Average Rectified Current IO

    :20 A

  • @ Terminal Temperature TT

    :150 ºC

  • Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM

    :60 V

  • Peak Forward Surge Current IFSM

    :180 A

  • Forward Voltage Drop VF (V)

    :0.79

  • @ IF

    :20 A

  • Maximum Reverse Current IR

    :500 µA

  • @ VR

    :60 V

  • Reverse Recovery Time trr

    :N/A ns

  • Total Capacitance CT

    :N/A pF

  • EAS

    :500 mJ

  • Packages

    :TO263AB (D2PAK)

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