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SBR20100CT-G分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SBR20100CT-G |
| 参数属性 | SBR20100CT-G 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE SBR 100V 20A TO-220AB |
| 功能描述 | Low Forward Voltage Drop |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
297.24 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-13 23:00:00 |
| 人工找货 | SBR20100CT-G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SBR20100CT-G规格书详情
SBR20100CT-G属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由美台半导体制造生产的SBR20100CT-G二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管，并增加了“二极管配置”属性，该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意，具有全桥配置的阵列被专门排除在外，并列为单独的产品系列。
产品属性
更多- 产品编号：
SBR20100CT-G
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列：
SBR®
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 二极管配置：
1 对共阴极
- 二极管类型：
超级势垒
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
10A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
DIODE SBR 100V 20A TO-220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
70 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
21+ |
TO-220-3 |
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DIODES(美台) |
21+ |
TO-220-3 |
300 |
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DIODES/美台 |
20+ |
SMD |
88800 |
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DIODES/美台 |
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TO-220-3 |
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DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
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DIODES/美台 |
21+ |
TO-220-3 |
30000 |
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DIODES |
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TO-220 |
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DIODES INCORPORATED |
21+ |
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DIODES/美台 |
22+ |
TO-220-3 |
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