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SIHFR420	文件：1.24746 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR420,SiHFR420) •Straightlead(IRFU420,SiHFU420) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR420A	文件：167.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR420A	文件：2.68622 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR420A	文件：2.68526 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowe	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR420A	文件：1.0767 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SIHFR420A	文件：267.93 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgateChargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR420T	文件：1.88411 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR420T	文件：4.27848 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRating DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR420T	文件：4.27854 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRating	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR420T	文件：1.0787 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
SBFP420D
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
UHF to C Band Low Noise Amplifier, Oscillation Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威雅利发展有限公司	SBFP420D-TL	SANYO	16+	SMD	10000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	SBFP420M-T1	SANYO/三洋	23+	SOT-343	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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