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SBF720T1G

NPN Silicon Transistor

NPN Silicon Transistor Features ● AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable ● S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements ● These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant*

文件:108.24 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SBF720T1G

NPN Silicon Transistor

ONSEMI

安森美半导体

SBF720T1G

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 300V 0.1A SOT223

ONSEMI

安森美半导体

BF720T1

NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT

NPN Silicon Transistor

文件:107.29 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BF720T1

NPN Ssilicon Transistor

NPN Silicon Transistor

文件:110.1 Kbytes 页数:6 Pages

Motorola

摩托罗拉

BF720T1G

NPN Silicon Transistor

NPN Silicon Transistor Features ● AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable ● S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements ● These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant*

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ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    SBF720T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 5mA,30mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 25mA,20V

  • 频率 - 跃迁:

    60MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS NPN 300V 0.1A SOT223

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
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SOT-223
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ONSEMI/安森美原装特价SBF720T1G即刻询购立享优惠#长期有货
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更多SBF720T1G供应商 更新时间2025-10-12 14:14:00