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SBE001中文资料Schottky Barrier Diode, 30V, 2A, Low IR, Single CPH6数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

SBE001

参数属性

SBE001 封装/外壳为SOT-23-6;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 2A 6CPH

功能描述

Schottky Barrier Diode, 30V, 2A, Low IR, Single CPH6
DIODE SCHOTTKY 30V 2A 6CPH

封装外壳

SOT-23-6

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 18:57:00

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SBE001规格书详情

描述 Description

SBE001 is Schottky Barrier Diode, 30V, 2A, Low IR, Single CPH6 for High frequency rectification.

特性 Features

Low forward voltage (VF max=0.55V)
Fast reverse recovery time (trr max=20ns)
Low switching noise
Low leakage current and high reliability due to highly reliable planar structure
Ultrasmall-sized package, permitting SBE001-applied sets to be compact and slim (0.9mm)

应用 Application

High frequency rectifi cation (switching regulators, converters, choppers)

简介

SBE001属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的SBE001二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SBE001

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : Schottky Barrier Diode

  • Configuration

    :Single

  • VRRM Min (V)

    :30

  • VF Max (V)

    :Condition: IF=2A'>0.55

  • IRM Max (µA)

    :Condition: VR=15V'>100

  • IO(rec) Max (A)

    :2

  • IFSM Max (A)

    :Condition: 50Hz sine wave

  • trr Max (ns)

    :Condition: IF=IR=100mA

  • Cj Max (pF)

    :Condition: VR=10V

  • Package Type

    :CPH-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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