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SBC856ALT1G中文资料General Purpose Transistors数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
SBC856ALT1G |
参数属性 | SBC856ALT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 |
功能描述 | General Purpose Transistors |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-27 22:59:00 |
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SBC856ALT1G规格书详情
简介
SBC856ALT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的SBC856ALT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
SBC856ALT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
650mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
125 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-23(TO-236) |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
5450 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
25+ |
SMD |
518000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
onsemi |
21+ |
1 |
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询价 | |||
ONSEMI |
21+ |
SOT-23 |
7500 |
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询价 | ||
ON |
25+23+ |
SOT-23 |
17642 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-23 |
9000 |
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询价 | ||
onsemi/安森美 |
22+ |
原装封装 |
21000 |
品质保证,信誉至上 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2410+ |
NA |
36000 |
原装正品 货真价美 |
询价 |