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SBAS21LT1G数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

SBAS21LT1G

参数属性

SBAS21LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23

功能描述

250 V 开关二极管
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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SBAS21LT1G规格书详情

简介

SBAS21LT1G属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的SBAS21LT1G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SBAS21LT1G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 平均整流电流IF

    :200mA

  • 正向压降VF

    :1.25V @ 200mA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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