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SB80W10T中文资料肖特基势垒整流器,100V,8A,低 IR,单片双 TP 共阴极数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

SB80W10T

参数属性

SB80W10T 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TPFA

功能描述

肖特基势垒整流器,100V,8A,低 IR,单片双 TP 共阴极
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TPFA

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-23 23:00:00

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SB80W10T规格书详情

描述 Description

SB80W10T is Schottky Barrier Diode, 100V, 8A, Low IR, Monolithic Dual TP Common Cathode for High frequency rectification(switching regulators, converters, choppers).

特性 Features

VF max=0.8V
IR max=0.1mA
Halogen free compliance

简介

SB80W10T属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由ONSEMI制造生产的SB80W10T二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SB80W10T

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : Schottky Barrier Diode

  • Configuration

    :Single

  • VRRM Min (V)

    :100

  • VF Max (V)

    :Condition: IF=3.0A

  • IRM Max (µA)

    :Condition: VR=50V

  • IO(rec) Max (A)

    :Condition: 50Hz resistive load

  • IFSM Max (A)

    :Condition: 50Hz sine wave

  • trr Max (ns)

    :-

  • Cj Max (pF)

    :Condition: VR=10V

  • Package Type

    :IPAK / TP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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