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SB260S	文件：54.87 Kbytes Page：4 Pages	2.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
SB260S	文件：94.5 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Verysmallconductionlosses •Extremelyfastswitching •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinac	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SB260S	文件：386.99 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGE:60VCURRENT:2.0A VOLTAGE:60VCURRENT:2.0A FEATURE Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecapability Hightemperaturesolderingguaranteed 250°C/10sec/0.375leadlengthat5lbstension	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
SB260S	文件：214.7 Kbytes Page：2 Pages	PowerSchottkyRectifier-2Amp40~100Volt □Features -Lowforwardvoltagedrop -Highcurrentcapability -Highreliability -Highsurgecurrentcapability -Epitaxialconstruction	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
SB260S	文件：71.56 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SB260S	文件：36.35 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SB260S	文件：79.83 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierPlasticRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SB260S	文件：75.7 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierPlasticRectifier FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Verysmallconductionlosses •Extremelyfastswitching •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcomp	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SB260S	文件：54.15 Kbytes Page：4 Pages	2.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE SchottkyBarrierChip GuardRingforTransientandESDProtection SurgeOverloadRatingto50APeak LowPowerLoss,HighEfficiency IdeallySuitedforUseinHighFrequency SMPS,InvertersandAsFreeWheelingDiodes	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
SB260S-TB	文件：54.87 Kbytes Page：4 Pages	2.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

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