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SB1003M3中文资料肖特基势垒整流器,30V,1A,低 IR,单数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

SB1003M3

参数属性

SB1003M3 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A 3MCPH

功能描述

肖特基势垒整流器,30V,1A,低 IR,单
DIODE SCHOTTKY 30V 1A 3MCPH

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:34:00

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SB1003M3规格书详情

描述 Description

SB1003M3 is Schottky Barrier Diode, 30V, 1A, Low IR, Single MCPH3 for High frequency rectification (switching regulators,converters,choppers).

特性 Features

• Low switching noise
• Low leakage current and high reliability due to highly reliable planar structure
• Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim (Mounting height 0.85mm)

应用 Application

• High frequency rectifi cation (switching regulators, converters, choppers)

简介

SB1003M3属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的SB1003M3二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SB1003M3

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Single

  • VRRM Min (V)

    :30

  • VF Max (V)

    :0.5

  • IRM Max (µA)

    :15

  • IO(rec) Max (A)

    :1

  • IFSM Max (A)

    :10

  • trr Max (ns)

    :10

  • Cj Max (pF)

    :27

  • Package Type

    :SC-70FL/MCPH-3

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