BATTERY BACKUP SWITCHING IC

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SII

精工爱普生

N-Channel 8 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Low-on resistance • Ultra-small 1.6 mm x 1.6 mm maximum outline • Ultra-thin 0.6 mm maximum height • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Mobile computing, smart phones, tablet PCs   

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N-Channel 8 V (D-S) MOSFET

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N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET

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