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S8381-512Q中文资料高红外灵敏度NMOS线阵传感器数据手册Hamamatsu规格书
S8381-512Q规格书详情
描述 Description
S8381-512Q 与标准NMOS线阵传感器相比，在红外和软X射线波段具有更高的灵敏度。其峰值灵敏度波长在近红外波段（λp=750 nm）。该器件的光电二极管高度为2.5mm，以25um为间距线性排列。石英玻璃是标准窗口材料。
特性 Features
- 红外和软X射线波段高灵敏度
- 大感光面积
- 高紫外灵敏度且稳定度好
- 低暗电流和大饱和电荷量使得室温下可长时间积分，动态范围大
- 出色的输出线性度和灵敏度空间一致性
- 低功耗，最大1 mW
- 开始和时钟脉冲与CMOS逻辑兼容
技术参数
- 制造商编号
：S8381-512Q
- 生产厂家
：Hamamatsu
- 输出类型
：电流输出
- 感光面积
：12.8 x 2.5 mm
- 像素尺寸
：25 x 2500 μm
- 像素间距
：25 μm
- 总像素个数
：512
- 封装
：陶瓷
- 制冷
：非制冷
- 线速率（典型）
：3900
- 光谱响应范围（最小值）
：200 nm
- 光谱响应范围（最大值）
：200 nm
- 饱和电荷量（典型值）
：25 pC
- 专用驱动电路
：C7884，C7884G，C7884-01，C7884G-01，C8892
- 测试条件
：除非注明，均为典型值，Ta=25 ℃，饱和电荷量: Vb=2.0 V，Vφ=5.0 V
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