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TPCP8202	文件：235.53 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType(U-MOSIV) PortableEquipmentApplications MotorDriveApplications DC-DCConverters •Lead(Pb)-Free •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=19mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=20S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) •Enhancementmodel:Vth=0.7to	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TPCP8202

文件：235.53 Kbytes

Page：7 Pages

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType(U-MOSIV)

PortableEquipmentApplications MotorDriveApplications DC-DCConverters •Lead(Pb)-Free •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=19mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=20S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) •Enhancementmodel:Vth=0.7to

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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详细参数

型号：
S8202
制造商：
POLYFET
制造商全称：
Polyfet RF Devices
功能描述：
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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更多S8202供应商更新时间2025-6-10 10:51:00

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