S80KS5122中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
S80KS5122 |
| 参数属性 | S80KS5122 封装/外壳为24-VBGA；包装为管件；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：HYPERRAM |
| 功能描述 | 512 Mb: HYPERRAM??self-refresh dynamic RAM (DRAM) with HYPERBUS??interface 1.8 V |
| 文件大小 |
1.00285 Mbytes |
| 页面数量 |
53 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-18 9:12:00 |
产品属性
- 产品编号：
S80KS5122GABHB020
- 制造商：
Cypress Semiconductor Corp
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 系列：
HYPERRAM™
- 包装：
管件
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
PSRAM
- 技术：
PSRAM（伪 SRAM）
- 存储容量：
512Mb（64M x 8）
- 存储器接口：
HyperBus
- 写周期时间 - 字，页：
35ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 2V
- 工作温度：
-40°C ~ 105°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
24-VBGA
- 供应商器件封装：
24-FBGA（6x8）
- 描述：
HYPERRAM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
24+ |
PG-BGA-24 |
4957 |
只在原厂代理处订货 假一 赔十 长期供应 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
58300 |
一级代理放心采购 |
询价 | |||
Infineon |
141 |
只做正品 |
询价 | ||||
INFINEON |
23+ |
NA |
335 |
DRAM |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
PG-BGA-24 |
14253 |
原包装原标现货,假一罚十, |
询价 |
相关库存
更多- S80KS2562GABHB023
- S80KS2562GABHI020
- S80KS2562GABHI023
- S80KS2562GABHM020
- S80KS2562GABHM023
- S80KS2562GABHV020
- S80KS2562GABHV023
- S80KS5122GABHI020
- S80KS5122GABHA020
- S80KS5122GABHA023
- S80KS5122GABHB020
- S80KS5122GABHB023
- S80KS5122GABHI023
- S80KS5122GABHM020
- S80KS5122GABHM023
- S80KS5122GABHV020
- S80KS5122GABHV023
