S8050-6AF中文资料NPN Transistor数据手册FOSAN规格书
S8050-6AF规格书详情
描述 Description
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic): 500mA,集射极击穿电压 25V,耗散功率(Pd): 300mW
技术参数
- 制造商编号
：S8050-6AF
- 生产厂家
：FOSAN
- 集电极电流(Ic)
：500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
：25V
- 耗散功率(Pd)
：300mW
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
：0.6V
- 直流电流增益(hFE)
：200-350
- 特征频率(fT)
：100MHz
- 工作温度
：-55℃~+150℃
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