| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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S6Q | Silicon Standard Recovery Diode Features • High Surge Capability • Not ESD Sensitive • Types from 800 V to 1200 V VRRM 文件：769.99 Kbytes 页数：3 Pages | GENESIC | GENESIC | |
S6Q | Silicon Standard Recovery Diode 文件：791.52 Kbytes 页数：3 Pages | GENESIC | GENESIC | |
S6Q | Silicon Standard Recovery Diode 文件：787.23 Kbytes 页数：3 Pages | GENESIC | GENESIC | |
Silicon Standard Recovery Diode Features • High Surge Capability • Not ESD Sensitive • Types from 800 V to 1200 V VRRM 文件：769.99 Kbytes 页数：3 Pages | GENESIC | GENESIC | ||
Silicon Standard Recovery Diode 文件：787.23 Kbytes 页数：3 Pages | GENESIC | GENESIC | ||
S6Q | Package：DO-203AA，DO-4，接线柱；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4 | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | |
Package：DO-203AA，DO-4，接线柱；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4 | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
产品属性
- 产品编号：
S6Q
- 制造商：
GeneSiC Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
散装
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
6A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
底座，接线柱安装
- 封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
- 供应商器件封装：
DO-4
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GeneSiC |
1935+ |
N/A |
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GENESIC |
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DO-4 |
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GeneSiC |
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碳化硅二极管原厂正品全系列现货 |
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原装进口现货假一罚十 |
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NETSOL |
25+ |
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8000 |
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32sTSOP1 |
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一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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