S5973-02中文资料高速响应 1 GHzS5973-02 适用于可见光到近红外光探测。该微透镜类型光电二极管可以有效地耦合在光纤上。其以低偏置实现了宽带特性,适用于光通信和其他高速光度计测。特性-高速响应:1 GHz (VR=3.3 V)-低价格数据手册Hamamatsu规格书
S5973-02规格书详情
描述 Description
-高灵敏:0.3 A/W, QE=91% (λ=410 nm)-高可靠性 详细参数 感光面积 φ0.4 mm 象元数 1 封装 金属 封装类型 TO-18 反偏电压(最大) 20V 光谱响应范围 320 to 1000 nm 峰值波长 760 nm 灵敏度 0.42 A/W 暗电流 100 pA 截止频率 1000 MHz 结电容 1.6 pF 测试条件 Ta=25 ℃, 除非特别说明均为典型值。灵敏度:λ=780 nm,暗电流: VR=3.3V, 截止频率: VR=3.3V,结电容: VR=3.3V .conclass { font: 12px/25px '宋体'; display: table;} .conclass p {text-indent: 2em;} 光谱响应外形图(单位:mm) 相关文件下载 ·Notice[39 KB/PDF] ·Metal, Ceramic, Plastic products / Precautions[307 KB/PDF] ·Si photodiode / Application circuit examples[64 KB/PDF] ·Si photodiodes / Selection guide[8.84 MB/PDF]
技术参数
- 制造商编号
:S5973-02
- 生产厂家
:Hamamatsu
- 象元数
:1
- 封装
:金属
- 封装类型
:TO-18
- 反偏电压(最大)
:20V
- 光谱响应范围
:320 to 1000 nm
- 峰值波长
:760 nm
- 灵敏度
:0.42 A/W
- 暗电流
:100 pA
- 截止频率
:1000 MHz
- 结电容
:1.6 pF
- 测试条件
:Ta=25 ℃, 除非特别说明均为典型值。灵敏度:λ=780 nm,暗电流: VR=3.3V, 截止频率: VR=3.3V,结电容: VR=3.3V
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