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S3GF	文件：1.14083 Mbytes Page：3 Pages	Marking：S3G；Surface Mount Standard Rectifiers	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
S3GF	文件：471.9 Kbytes Page：3 Pages	Marking：S3G；Package：SMAF；Surface Mount General Purpose Silicon Rectifiers	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
S3GF-PJ	文件：508.54 Kbytes Page：3 Pages	Marking：S3G；Package：SMAF；SURFACE MOUNT GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIERS	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
S3GH	文件：577.41 Kbytes Page：6 Pages	Marking：S3G；Package：SOD-214AB；3A, 50V - 1000V Surface Mount Rectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
74LVC3G04SS8-7	文件：463.37 Kbytes Page：8 Pages	Marking：S3G04；Package：SSOP-8；TRIPLE INVERTER GATE Features WideSupplyVoltageRangefrom1.65Vto5.5V ±24mAOutputDriveat3.3V CMOSLowPowerConsumption IOFFSupportsPartial-Power-DownModeOperation InputsAcceptupto5.5V ESDProtectionTestedperJESD22 Exceeds2,000VHumanBodyModel(A114) Exceeds1,000VChargedD	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
74LVC3G06SS8-7	文件：546.02 Kbytes Page：8 Pages	Marking：S3G06；Package：SSOP-8；TRIPLE INVERTER WITH OPEN DRAIN OUTPUTS Features WideSupplyVoltageRangefrom1.65Vto5.5V -24mAOutputDriveat3.3V CMOSLowPowerConsumption IOFFSupportsPartial-Power-DownModeOperation InputsAcceptupto5.5V ESDProtectionTestedperJESD22 Exceeds2,000VHumanBodyModel(A114) Exceeds1,000VChargedD	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
74LVC3G14SS8-7	文件：575.92 Kbytes Page：9 Pages	Marking：S3G14；Package：SSOP-8；TRIPLE SCHMITT-TRIGGER INVERTER Features WideSupplyVoltageRangefrom1.65Vto5.5V ±24mAOutputDriveat3.3V CMOSLowPowerConsumption IOFFSupportsPartial-Power-DownModeOperation InputsAcceptupto5.5V ESDProtectionTestedperJESD22 Exceeds2,000VHumanBodyModel(A114) Exceeds1,000VChargedD	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
74LVC3G17SS8-7	文件：626.04 Kbytes Page：9 Pages	Marking：S3G17；Package：SSOP-8；TRIPLE SCHMITT-TRIGGER BUFFER Features WideSupplyVoltageRangefrom1.65Vto5.5V ±24mAOutputDriveat3.3V CMOSLowPowerConsumption IOFFSupportsPartial-Power-DownModeOperation InputsAcceptupto5.5V ESDProtectionTestedperJESD22 Exceeds2,000VHumanBodyModel(A114) Exceeds1,000VChargedD	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
74LVC3G34SS8-7	文件：470.83 Kbytes Page：8 Pages	Marking：S3G34；Package：SSOP-8；TRIPLE BUFFER GATE Features WideSupplyVoltageRangefrom1.65Vto5.5V ±24mAOutputDriveat3.3V CMOSLowPowerConsumption IOFFSupportsPartial-Power-DownModeOperation InputsAcceptupto5.5V ESDProtectionTestedperJESD22 Exceeds2,000VHumanBodyModel(A114) Exceeds1,000VChargedD	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
NRVS3GB	文件：175.92 Kbytes Page：5 Pages	Marking：S3GB；Package：SMB；Rectifiers, Surface Mount 3A, 50 V-1000 V Features •GlassPassivatedChipJunction •HighSurgeCurrentCapacity •LowForwardVoltage:1.15VMaximum •ULFlammability94V−0Classification •MSL1perJ−STD−020 •RoHSCompliant/GreenMoldingCompound •NRVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteand	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
S3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
60pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AB，SMC
供应商器件封装：
SMC（DO-214AB）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

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