Schottky Barrier Diode

文件：1.12238 Mbytes 页数：2 Pages

SHINDENGEN

Highest Flux White

文件：227.39 Kbytes 页数：4 Pages

HB

丝印：S30N120HB；Package：TO-247；SiC Schottky Barrier Diode

Applications • Power Factor Correction • Solar Inverters • Uninterruptible Power Supplies • DC-DC Converters Features (1) Chip design of 3rd generation (2) Low forward voltage : VF (Per Leg) = 1.27 V (typ.) (3) Low total capacitive charge: Qc (Per Leg) = 80 nC (typ.) (4) Low reverse curre

文件：446.41 Kbytes 页数：7 Pages

TOSHIBA

东芝

场效应管

世谋微电子提供采用各种电路配置和封装的低VDSS和中／高VDSS MOSFET产品组合，其特点是高速度、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等。被广泛应用到消费电子、计算机及外设、网络通信，汽车电子、LED显示屏等领域。

SUMSEMI

世谋微电子

场效应管

世谋微电子提供采用各种电路配置和封装的低VDSS和中／高VDSS MOSFET产品组合，其特点是高速度、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等。被广泛应用到消费电子、计算机及外设、网络通信，汽车电子、LED显示屏等领域。

SUMSEMI

世谋微电子

Mosfet

Si-Tech

芯途