S2SC4617G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
S2SC4617G |
参数属性 | S2SC4617G 封装/外壳为SC-75,SOT-416;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 0.1A SC75 SOT416 |
功能描述 | NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor |
封装外壳 | SC-75,SOT-416 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 9:19:00 |
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S2SC4617G规格书详情
简介
S2SC4617G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的S2SC4617G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
S2SC4617G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
400mV @ 5mA,60mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 1mA,6V
- 频率 - 跃迁:
180MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-75,SOT-416
- 供应商器件封装:
SC-75,SOT-416
- 描述:
TRANS NPN 50V 0.1A SC75 SOT416
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
NA |
6800 |
只做原装正品现货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON |
24+ |
SC-75-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
SOT323 |
60000 |
询价 | |||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装,请咨询 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
询价 | ||
ONSEMI |
22+ |
NA |
30000 |
原装正品支持实单 |
询价 |