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S2M0160120T	文件：4.56591 Mbytes Page：10 Pages	1200V SIC POWER MOSFET Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=175mΩ. Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. Processofnon-brightTinelectroplatin	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
C2M0160120D	文件：645.99 Kbytes Page：10 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFETC2MTMMOSFETTechnologyN-ChannelEnhancementMode Features •HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances •EasytoParallelandSimpletoDrive •AvalancheRuggedness •ResistanttoLatch-Up •HalogenFree,RoHSCompliant Benefits •HigherSystemEfficiency •ReducedCoolingRequirements •I	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C2M0160120D	文件：826.16 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementMode SiliconCarbidePowerMOSFETZ-FET™MOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances •HighBlockingVoltagewithLowRDS(on) •EasytoParallelandSimpletoDrive •ResistanttoLatch-Up •HalogenFree,RoHSCompliant Benefts •HigherSystem	CreeCree, Inc 科锐	Cree
S2M0160120D	文件：5.42097 Mbytes Page：10 Pages	1200VSICPOWERMOSFET Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=175mΩ. Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. Processofnon-brightTinelectroplatin	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
S2M0160120J	文件：5.81058 Mbytes Page：10 Pages	1200VSICPOWERMOSFET •Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. •Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=175mΩ. •Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. •Processofnon-brightTinelectroplatin	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
S2M0160120JTR	文件：5.81058 Mbytes Page：10 Pages	1200VSICPOWERMOSFET •Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. •Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=175mΩ. •Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. •Processofnon-brightTinelectroplatin	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
S2M0160120K	文件：5.81059 Mbytes Page：10 Pages	1200VSICPOWERMOSFET •Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. •Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=175mΩ. •Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. •Processofnon-brightTinelectroplatin	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE

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