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S2M0040120N-1	文件：4.56161 Mbytes Page：10 Pages	1200V SIC POWER MOSFET • Positive temperature characteristics, easy to parallel. • Low on-resistance Typ. RDS(on) = 45mΩ . • Fast switching speed and low switching losses. • Very fast and robust intrinsic body diode. • Process of non-bright Tin electroplatin 文件：4.56161 Mbytes 页数：10 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
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