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S29GL512S10GHI010中文资料Parallel NOR 闪存数据手册Infineon规格书

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厂商型号

S29GL512S10GHI010

参数属性

S29GL512S10GHI010 封装/外壳为56-VFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA

功能描述

Parallel NOR 闪存

封装外壳

56-VFBGA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :S29GL512S10GHI010

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Density (Mbit)

    :512

  • Initial Access Time (ns)

    :100

  • Interface Bandwidth (MBps)

    :NA

  • Interface Frequency (SDR / DDR) (MHz)

    :NA

  • 最高工作电压 (V)

    :3.60

  • 最低工作电压 (V)

    :2.70

  • Operating Voltage (V)

    :3

  • Page Access Time (ns)

    :15

  • Part Family

    :Parallel NOR

  • Series

    :GL-S

  • Tape & Reel

    :否

  • Temperature Range (Min C to Max C)

    :-40C to +85C

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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